close

Вход

Забыли?

вход по аккаунту

?

13 литература2

код для вставкиСкачать
13. Список литературы 1. Резников В., Губырин Л. Высокочастотные ВЧ и СВЧ p-i-n диоды. - URL: http://kit-e.ru/articles/svch/2000_03_42.php. Дата обращения: 21.05.2013.
2. Универсальные и импульсные диоды: Общая информация. - URL: http://www.club155.ru/diods-universal-common. Дата обращения: 21.05.2013.
3. Электрофизические свойства полупроводников. - URL: http://dvo.sut.ru/libr/eqp/i001eqp1/1.htm. Дата обращения: 21.05.2013.
4. Березин А. С. Технология и конструирование интегральных микросхем: учебное пособие для высших учебных заведений. / А. С. Березин, О. Р. Мочалкина. - М.: Радио и связь, 1992. 5. Ефимов И.Е. Микроэлектроника: учебное пособие для ВУЗов / И.Е. Ефимов, И.Я. Козырь, Ю.И. Горбунов. - М.: Высшая школа, 1986.
6. Википедия: Свободная энциклопедия. - URL: http://ru.wikipedia.org/.
7. Большая энциклопедия нефти и газа. - URL: http://ngpedia.ru/.
8. Калниболотский Ю. М., Королев Ю. В., Богдан Г. И. Расчет и конструирование микросхем.-Киев: Всш. шк.. Головное изд-во,1983. - 279с .
9. Надеров В.П., Шестеркина А.А., Тундыков А.С., Симкин А.В. Расчёт коммутационных потерь в быстровосстанавливающихся диодах: ГОУВНО "Мордовский государственный университет им. Н. II. Огарева", г.Саранск, 2008. - 4с.
10. B. Jayant Baliga. Advancend Power Rectifire Concepts.-North Carolina State University, 2009-348c. 11. B. Jayant Baliga The Future of Power Semiconductor Device Technology 2001.-832c 12. В. Громов, А. Лебедев, В. Патапчук, П. Ястребов. Конструктивно технологические особенности эмиттера быстровосстанавливающихся диодов с мягким восстановлением. Электроника: Наука, Технология, Бизнес. 6/2006. 13. W. Shockley. Design of a pn junction diode: Departament of Electrical Engineering University of Saskatchewan Canada, 2001. 14. А. А. Ровдо. Полупроводниковые диоды и схемы с диодами. -М.: Лайт Лтд., 2000.-288с 15. Semicron 2003. - 260c.
16. С. Зи Физика полупроводниковых приборов В 2-х книгах. Пер.с англ. - 2-е перераб. и доп. изд. - М.: Мир, 1984. - 456с.
17. С. Зи Технология СБИС: В 2-х кн. Пер. с англ. - М.: Мир, 1986. - 404с .
18. А. Блихер, Физика силовых биполярных и полевых транзисторов: Пер. с англ./ Под ред. И. В. Грехова. - С-П.: Энергоатом, 1986. - 248с. 19. П.А. Иванов, И.В. Грехов, Н.Д. Ильинская, Т.П. Самсонова, А.С. Потапов. Высоковольтные (1800В) планарные p-n - переходы на основе 4H-SiC с плавающими охранными кольцами, Физик-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, С-П.: Физика и техника полупроводников, 2009, том 43, вып. 4. 20. Barry W. Williams, Principles and Elements of Power Electronics, Glasgow University of Strathclyde, 2006. - 983с.
21. Rectifier Applications Handbook - Reference Manual and Design Guide, HB214/D, Rev. 2, 2001. - 285с.
22. Дерменжи П.Г., Кузьмин В.А., Крюк И.И., Мамонов В.И., Павлик В.Я., Расчёт силовых полупроводниковых приборов под ред. Кузьмина В.А.-М.: Энергия, 19, 1979.- 184 с.
23. Козлов В.А., Козловский В.В., Легирование полупроводников радиационными дефектами при облучении протонами и альфа-частицами - Обзор Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук С.-П.: 2000, том 35, вып.7 - 27с.
24. Новосядлый С.П., Буджак Я.С., Юстировка пороговых напряжений в технологии БИС г.Львов 1999.- 23с.
25. Болтовец Н.С., Голынная Т.И., Кривуца В.А., Суворова Л.М., Лычман К.А., Исследование кремниевых высоковольтных СВЧ p-i-n-диодов при повышенной температуре, г .Киев 2008-54с.
26. Падеров Д.В, Падеров В.П., Горячкин Ю.В. Моделирование влияния профиля центров рекомбинации на параметры быстро восстанавливающихся диодов 2008. - 5с.
27. Vinod Kumar Khanna. The Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT Theory and Design 2003. - 626c.
28. Гуртов В. А. Твердотельная электроника: учебное пособие. - Издание второе, исправленное и дополненное, М., 2005. - 492с.
29. Robert Perret. Power Electronics Semiconductor Devices L., 2009. - 553c.
30. Duncan A. Grant, John Gowar. Power Mosfets: Theory and Applications, N-Y., 1989. - 504c.
31. Lutz J., Schlangenotto H., Scheuermann U., Rik De Doncker. SemiconductorPower Devices: Physics, Characteristics, Reliability, Heidelberg, 2011. - 536c. 32. Widmann D., Mader H., Friedrich H. Technology of integrated circuits. -340c.
33. Шур М. Физика полупроводниковых приборов: в 2-х книгах; пер. с англ. под редакцией Биленко Ю.Д., Видро В.Л. - М.: Мир, 1992. - 479 с.
Документ
Категория
Рефераты
Просмотров
35
Размер файла
54 Кб
Теги
литература
1/--страниц
Пожаловаться на содержимое документа