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Physical
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3 microns
(4)
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5 millimetres
(4)
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20 percent
(4)
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de 0,8 microns
(2)
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1 micron
(2)
[11][_]
10 millimetres
(2)
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50 percent
(2)
[13][_]
25 percent
(2)
[14][_]
r.t.
(1)
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width of at least one to three microns
(1)
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at least 20 percent
(1)
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at least 25 percent
(1)
[18][_]
14 millimetres
(1)
[19][_]
de 1,2 micron
(1)
[20][_]
7 millimetres
(1)
[21][_]
5 mm2
(1)
[22][_]
7 mm2
(1)
[23][_]
1,25 micron
(1)
[24][_]
de 14 millimetres
(1)
[25][_]
de 1 micron
(1)
[26][_]
de 7 millimetres
(1)
[27][_]
10 mm2
(1)
[28][_]
Gene Or Protein
(5/ 22)
[29][_]
Etre
(8)
[30][_]
Est-a
(6)
[31][_]
DANS
(4)
[32][_]
CHAMP
(3)
[33][_]
Resta
(1)
[34][_]
Molecule
(4/ 11)
[35][_]
silicon
(5)
[36][_]
DES
(4)
[37][_]
habi
(1)
[38][_]
silicon oxide
(1)
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Publication
_________________________________________________________________
Number FR2518809A1
Family ID 8077035
Probable Assignee Efcis
Publication Year 1983
Title
_________________________________________________________________
FR Title CIRCUITS INTEGRES A FINESSE DE MOTIF VARIABLE ET PROCEDE DE
FABRICATION
EN Title INTEGRATED CIRCUIT MFR. FOR VARIABLE INTEGRATION DENSITY -
USES PHOTO-REPETITION ON SUBSTRATE DIVIDED INTO RECTANGULAR PORTIONS
AT CORNERS OF WHICH COARSER LINES ARE TO BE FOUND
Abstract
_________________________________________________________________
LA PRESENTE INVENTION CONCERNE LES CIRCUITS INTEGRES A TRES FORT TAUX
D'INTEGRATION DANS LESQUELS LA LARGEUR DES MOTIFS EST DE L'ORDRE DE 1
A 3 MICRONS.
POUR EXPOSER PAR PHOTOREPETITION DES SURFACES DE PUCES DE CIRCUIT PLUS
IMPORTANTES OU PLUSIEURS PUCES A LA FOIS, ON PREVOIT QUE LES MOTIFS
DES MASQUES DE PHOTOGRAVURE SONT DESSINES AVEC UNE FINESSE MOINS
GRANDE DANS LES COINS (HACHURES) DE LA PUCE ALORS QU'UNE TRES GRANDE
FINESSE DE DESSIN EST PREVUE DANS LE RESTE DE LA PUCE. AINSI, AU LIEU
DE LIMITER LE CHAMP UTILE DE L'OBJECTIF A UNE ZONE DE DIAMETRE LIMITE
B, ON PEUT PROFITER DE TOUT LE CHAMP ILLUMINE A ET EXPOSER SOIT UNE
PUCE DE GRANDE SURFACE, SOIT SIMULTANEMENT DEUX OU QUATRE PUCES G, H,
I, J. DANS CE DERNIER CAS, UN SEUL COIN DE LA PUCE EST DESSINE AVEC
UNE FINESSE MOINS GRANDE ET LE MASQUE COMPREND QUATRE DESSINS DE
CIRCUIT ORIENTES A 90 LES UNS DES AUTRES POUR PLACER A LA PERIPHERIE
DU CHAMP DE L'OBJECTIF LES COINS DESSINES AVEC UNE FINESSE MOINS
GRANDE.
The appts. has an optical or ultraviolet source and a lens which
projects an image of a mask placed in front of the source onto
photosensitive layer covering a semiconductor substrate. The mask
defines the pattern of the VLSI circuit to be reproduced. A
step-by-step relative displacement of the lens w.r.t. the
photosensitive surface exposes each time a small rectangular portion
of the surface, the pattern to be reproduced on the surface having a
sharpness such that certain tracks or intervals between tracks of the
design have a width of at least one to three microns. The pattern tp
be reproduced enclosed in a rectangle (F) in the field of the lens (A)
is such that in at least one corner of the rectangle occupies at least
20 percent of the surface of the rectangle, the design only has tracks
or intervals between tracks having a width greater than at least 25
percent of the min. width encountered on the remainder of the design.
Description
_________________________________________________________________
CIRCUITS INTEGRES A FINESSE DE MOTIF VARIABLE ET
PROCEDE DE FABRICATION
La presente invention concerne la fabrication des circuits integres a
tres fort taux d'integration.
Pour realiser ces circuits integres, on part d'une tranche
semiconductrice qui sera ulterieurement- decoupee en puces
rectangulaires toutes identiques correspondant chacune a un circuit
individuel. Les circuits sont definis par des operations de depot de
substances variees, de dopages, de gravure selective, etc., effectuees
sur l'ensemble de la tranche, ctest-a- dire sur la multiplicite de
puces qu'elle comporte.
On s'interesse ici aux phases de gravure selective d'une couche
photosensible recouvrant la surface de la tranche.
Une telle gravure est effectuee par exposition selective de la couche
a un rayonnement, a travers un masque definissant des zones
transparentes et des zones opaques, apres quoi on grave la couche
photosensible au moyen d'un produit qui dissout selectivement les
zones exposees (ou au contraire non exposees) sans agir sur les
autres.
L'exposition selective a travers un masque peut se faire par
photorepetition directe sur tranche, c'est-a-dire que le masque
definit un motif elementaire correspondant a la gravure a effectuer
sur une puce de circuit, la tranche etant deplacee pas a pas sous
l'appareil de photorepetition pour exposer successivement, a l'aide
d'un seul masque, chacun des rectangles correspondant a la surface
d'une puce de circuit, ceci sur toute la tranche.
L'appareil de photorepetition comporte une source de rayonnement
(lumineux ou ultraviolet par exemple) et un objectif reducteur qui
projette sur la tranche l'image du masque place devant la source.
L'objectif a un champ d'illumination limite, ctest-a- dire qu'il ne
peut focaliser une image du masque sur une grande surface. De plus,
l'image projetee n'a pas une qualite uniforme et le pouvoir de
resolution de l'objectif diminue a mesure que l'on s'eloigne de l'axe
de l'objectif, en meme temps que la distorsion de l'image projetee
augmente.
Pour donner un exemple concret, on peut avoir un objectif illuminant
un champ de diametre 14 millimetres environ, dans lequel la resolution
au centre est de l'ordre de 0,8 microns (tres proche des limites
physiques qu'on peut theoriquement atteindre), mais dans lequel la
resolution a la peripherie n'est plus que de 1,2 micron environ ou
plus.
Or, on cherche a realiser des circuits qui ont des taux d'integration
et donc une finesse de dessin tels que seule une resolution inferieure
a 1 micron est tolerable. Dans l'exemple numerique donne ci-dessus,
cette resolution ntest~atteinte qu'a l'interieur d'un cercle de
diametre environ 10 millimetres, bien inferieur au diametre du champ
illumine; toute la peripherie du champ est inutilisable a cause de la
resolution moins bonne de l'objectif loin de l'axe optique.
Pratiquement, on ne peut donc placer dans le champ de l'objectif que
la surface d'une seule puce carree ou rectangulaire (seules formes
pratiquement acceptables) de- c8tes inferieurs a 7 millimetres.
Ceci signifie
- que le masque utilise correspond toujours au dessin d'un circuit
unique et que la tranche semiconductrice est soumise a une exposition
autant de fois qu'il y a de circuits a realiser;
- que la puce doit etre de dimension moyenne (5 x 5 mm2, en tous cas
pas plus de 7 x 7 mm2 pour l'exemple donne), et par consequent qu'il
faudrait utiliser un objectif a plus grand champ et de meme qualite si
la puce est plus grande,
- et en tous cas que le champ de l'objectif-n'est pas utilise au mieux
puisqutune partie de sa surface (presque 50 Z) est perdue.
Les dimensions numeriques du champ de l'objectif et des valeurs de
resolution ne sont donnees qu'a titre d'exemple, le pouvoir de
resolution dependant d'ailleurs de la longueur d'onde du rayonnement
utilise. Cependant, la presente invention concerne specifiquement les
circuits a tres haute integration dans lesquels la finesse des motifs
a graver au cours du procede de fabrication est de l'ordre de grandeur
de la resolution optique maximale que lton peut physiquement obtenir
avec le rayonnement utilise; en pratique les couches photosensibles
utilisees sont sensibles a la lumiere visible ou au proche ultraviolet
(longueurs d'onde de quelques dixiemes de microns) et la presente
invention ne concerne donc que les circuits integres dont le taux
d'integration est tel que les motifs a graver au cours du procede de
fabrication comprennent des traits ou intervalles entre-traits dont
certains ont une largeur au plus egale a 1 a 3 3 microns. Les circuits
dont la finesse n'est pas aussi grande sortent completement du cadre
de la presente invention car ils ne sont pas affectes par le# probleme
des limites de resolution et de distorsion inherentes au systeme
optique du photorepetiteur.
La presente invention vise a remedier aux inconvenients cites
precedemment en proposant deux mesures qui sont les suivantes
- d'une part les images projetees par l'objectif sur un rectangle
correspondant a une puce occupent le champ de l'objectif de telle
maniere qu'au moins un coin de la puce, tout en se situant bien dans
le champ de l'objectif, se trouve a la peripherie de celui-ci, en
dehors de la zone ou le pouvoir de resolution est considere comme
acceptable compte-tenu des dimensions les plus fines du circuit a
realiser sur la pu-ce,
- d'autre part, la portion d'image projetee dans ce coin de la puce
est depourvue d'elements dessines ayant une aussi grande finesse que
dans le reste de l'image.
Autrement dit, on concoit et on dessine le circuit a realiser sur une
puce de telle maniere qu'au moins un coin de ce circuit soit depourvu
d'elements de tres grande finesse (qui seraient incompatibles avec le
pouvoir de resolution obtenu a la peripherie du champ de l'objectif),
tandis que le reste du circuit est concu et dessine avec des regles de
dessin qui correspondent pratiquement a ce qui est permis par la
resolution dans la partie centrale du champ de l'objectif.Ensuite,
lors de l'operation de photorepetition, le masque dessine avec ces
regles est projete sur la tranche semiconductrice non pas comme on le
faisait jusqu'a maintenant, c'est-a-dire de maniere que l'image du
circuit se situe entierement a l'interieur d'une zone centrale limitee
du champ de l'objectif, mais au contraire de maniere que le ou les
coins dessines avec une finesse de motif moins grande se situent dans
la zone peripherique, de resolution plus faible, du champ.
Cette double -mesure permet, en conservant le meme objectif, soit de
realiser des puces de surface beaucoup plus grande (jusqu'a 10 x 10
nits2 donc quatre fois plus grandes dans l'exemple numerique choisi),
soit de multiplier la productivite du photorepeteur en utilisant comme
masque un masque regroupant les circuits accoles de deux ou quatre
puces adjacentes.
Dans le cas de puces de grande surface, on prevoira que les quatre-
coins du dessin du circuit sont depourvus d'elements d'aussi grande
finesse que#dans le centre. Quant aux puces de plus petites
dimensions, elles pourront etre illuminees simultanement a travers un
masque regroupant quatre circuits, et on prevoira qu'un seul coin du
dessin d'un circuit est depourvu d'elements de tres grande finesse, et
que les- quatre dessins regroupes sur le masque sont orientes a 900
les uns des autres de telle maniere que les coins depourvus d'elements
de tres grande finesse se retrouvent tous a l'exterieur et forment les
coins du rectangle plus grand dans lequel s'inscrivent les quatre
dessins accoles.
Les autres coins de chaque circuit individuel, c'est-a-- dire ceux qui
ne se trouveront pas aux coins du rectangle plus grand constitue par
le regroupement de quatre puces, comportent quant a eux des elements
de circuit dessines avec la finesse maximale autorisee en fonction de
la resolution de l'objectif dans la partie centrale du champ.
On a utilise jusqu'ici le terme rectangle pour designer la forme d'une
puce ou du circuit inscrit dans cette puce; on comprendra qu'il peut
s'agir de carres car on prefere souvent-travailler sur des puces
carrees. Toutefois, dans le cas ou il s'agit effectivement d'un
rectangle, on peut concevoir que l'invention permette de multiplier
par environ deux la cadence de travail d'un photorepeteur en utilisant
un masque regroupant deux circuits accoles et orientes a 1800 l'un de
l'autre de maniere a former un rectangle ou un carre plus
grand.L'image projetee presente alors des angles qui debordent dans la
zone geripherique du champ de l'objectif, la ou la resolution est
moins grande, et on prevoira que les circuits individuels sont
dessines de maniere que deux coins seulement du rectangle
correspondent a un circuit (les coins qui se retrouveront a
l'exterieur du rectangle plus grand forme par deux circuits opposes
accoles) soient depourvus d'elements d'aussi grande finesse que dans
le re-ste du circuit. Cette disposition sera utile lorsque les
dimensions des puces de circuit sont telles que deux puces mais non
quatre peuvent etre regroupees, tout en restant dans le champ de
l'objectif.
D'autres caracteristiques et avantages de l'invention apparattront a
la lecture de la description detaillee qui suit et qui est faite en
reference aux dessins annexes dans lesquels
- la figure 1 schematise le champ agrandi d'un objectif de
photorepeteur avec le trace rectangulaire ou carre dans lequel
s'inscrit l'image du dessin correspondant a une puce de circuit
integre:
- la figure 2 est analogue a la figure 1 mais pour une puce de plus
grande dimension.
- la figure 3 montre comment on peut juxtaposer quatre dessins de
circuit et illuminer simultanement la surface correspondant a quatre
puces de circuit.
A la figure 1, on a trace a echelle dilatee un cercle exterieur A
delimitant le champ d'un exemple d'objectif de photorepeteur.
L'objectif, la source qui l'illumine, et le masque utilise dans
l'operation de photogravure ne sont pas representes.
A l'interieur du champ de l'objectif, le pouvoir de resolution,
exprime en microns varie: il est meilleur au centre C (axe optique),
ou on peut esperer une resolution de 0,8 micron en lumiere visible, et
il est beaucoup moins bon a la peripherie du champ ou il peut
atteindre 1,25 micron. Dans l'exemple choisi, le diametre du champ
(cercle A) est de 14 millimetres environ. On peut delimiter un cercle
B concentrique au cercle A et de plus petit diametre, dans lequel le
pouvoir de resolution est acceptable compte-tenu de la finesse des
motifs a graver dans la couche photosensible deposee sur la surface
illuminee (q#ui peut etre celle d'une tranche semiconductrice). Cette
resolution peut etre de 1 micron (permettant de graver des motifs dont
les largeurs de traits ou les intervalles entre traits peuvent
descendre jusqu'a 1 a 3 microns).Ce cercle B peut avoir un diametre
d'environ 10 millimetres.
Dans la zone peripherique du champ de l'objeetif, entreles cercles A
et B, la resolution est consideree comme inacceptable pour obtenir une
telle finesse de motifs.
Le masque place devant l'objectif permet de projeter sur la tranche a
illuminer une image reduite du dessin de ce masque, dessin qui
comprend normalement un ensemble de traces de zones opaques et
transparentes inscrites dans un rectangle (ou plus souvent un carre)
qui correspond a une puce de circut integre individuel.
L'image du dessin projete n'est pas representee sur la figure 1, mais
on a represente un carre D correspondant a la surface d'une puce
individuelle, carre dans lequel s'inscrit le dessin projete du masque.
Pour que l'image projetee reste dans les limites de resolution et de
distorsion tolerees, on exposait jusqu'a maintenant la tranche
semiconductrice puce par puce, en de placant pas a pas la tranche sous
l'objectif, l'image projetee se situant bien a l'interieur du cercle B
dans lequel la resolution est acceptable (inferieure a 1 micron). Ceci
convenait pour des puces de dimensions pas trop grandes telles que 5
millimetres de cote (carre D) et, comme on le voit sur la figure, on
pouvait aller jusqu'a des puces de 7 millimetres de cota (figurees par
le carre en traits tiretes E) tout en restant dans la zone ou la
resolution optique et la distorsion sont acceptables.Mais on ne
pouvait pas, pour les circuits de tres grandeOfinesse, aller au dela
de ces dimensions, et on ne pouvait pas non plus loger deux ou
plusieurs puces, memes de 5 x 5 millimetres, simultanement sous le
champ de l'objectif a l'interieur du cercle B.
La presente invention permet, dans une premiere etape, de loger des
puces de grandes dimensions greater than par exemple 10 x 10 mm2 dans
le champ du meme objectif, les coins du rectangle ou du carre
definissant la puce se situant dans la zone peripherique du champ de
l'objectif, la ou la resolution est consideree comme inaccep#table
pour la finesse de motifs prevue pour le circuit.
Pour cela, le dessin du masque est concu avec des regles qui ne sont
pas les memes au centre et dans les coins: on s'arrange pour loger
dans les quatre coins des elements de circuits (conducteurs,
transistors, capacites, etc.) dont les dimensions sont telles que la
resolution et la distorsion de l'objectif a la peripherie du champ
soient tout a fait acceptables pour la realisation de ces elements.
Les quatre coins de la puce seront totalement depourvus d'elements de
circuits dont la realisation necessite la gravure de traits ou
d'intervalles entre traits de largeur egale a la largeur minimale
qu'on trouve dans le reste du circuit. Les traits et intervalles entre
traits dans les coins seront plus larges d'au moins 25 a 50 percent
que les traits les plus fins que l'on trouve dans le centre de la
puce.Les elements de tres petites dimensions (transistors d'elements
de memoire, transistors logiques n ayant pas a supporter de puissance,
conducteurs de liaison entre ceuxci, etc) se situeront dans le centre
de la puce.
En pratique, environ 20 X au moins de la surface de la puce, repartie
dans les quatre coins, ne comprendra que des elements de circuit dont
les traits ou intervalles entre traits auront une largeur d'au moins
1,25 A 1,5 fois la largeur minimale de traits ou entre traits du reste
du circuit.
La figure 2 represente, avec la meme echelle que la figure 1, la
dimension de puce (carre F) que l'on peut ainsi exposer, les quatre
coins hachures representant le zones ou les regles de dessin du
circuit doivent etre modifiees.
Dans une autre etape d'amelioration des procedes de photorepetition
existants, la presente invention propose d'accelerer la cadence de
travail du photorepeteur, pour des puces de dimensions moins grandes,
par exemple des puces de 5 x 5 millimetres comme celle de la figure 1,
ou moins encore.
Cette acceleration est obtenue en exposant en une operation, une
surface de tranche correspondant a plusieurs puces, le masque place
devant l'objectif comportant les dessins accoles de plusieurs circuits
correspondant chacun a une puce. Le nombre d'etapes d'exposition
necessaires pour couvrir toute la tranche est divise par le nombre de
puces exposees simultanement.
Comme on le voit sur la figure 3, tracee a la meme echelle que la
figure 1, on peut faire tenir dans le champ de l'objectif (cercle A)
la surface de quatre puces adjacentes identiques a celle de la figure
1, c'est a dire par exemple de 5 x 5 millimetres. On a designe
respectivement par G, H, I et J, les carres (ou plus generalement
rectangles) correspondant aux surfaces de quatre puces -adjacentes.
Dans ces carres s'inscrivent les images de quatre circuits adjacents
dessines sur un masque unique.
Comme on peut le voir les coins de l'image globale debordent du cercle
B correspondant a une resolution et une distorsion acceptables pour
les circuits realises. Au lieu d'en conclure qu'on ne peut exposer
qu'une puce a la fois, on prevoit que les circuits des puces sont
concues de telle sorte que dans un coin de la puce, les elements de
circuit sont dessines avec une finesse de traits moins grande que dans
le reste de la puce.Chaque puce comprend dbnc une zone principale ou
les regles de dessin sont choisies en fonction de la resolution
maximale de l'objectif, et un coin, occupant au moins 20 percent
environ de la surface de la puce, dans lequel les regles de dessin
choisies sont moins fines et sont telles que les traits ou intervalles
entre -traits du dessin de circuit-ont une largeur superieure, d'au
moins 25 a 50 percent, a la largeur-minimale des traits ou intervalles
entre traits du reste de la puce.
De plus, le coin de la puce qui est depourvu d'elements de finesse
maximale est celui qui doit se trouver dans la zone peripherique du
champ de l'objectif, et c'est pourquoi on propose selon l'invention
que le masque comportant quatre circuits identiques accoles soit
compose de circuits tournes de 900 les uns par rapport aux autres.
Autrement dit, les circuits formas sur le substrat ne seront pas tous
paralleles comme c'est le cas habi tuellement mais seront agences par
groupes de quatre circuits tous orientes differemment de maniere que
les coins depourvus de traits de finesse maximale se trouvent aux
angles du carre ou du rectangle plus grand dans lequel s'inscrivent
les quatre circuits correspondant aux quatre puces illuminees
simultanement.
A la difference du cas de la figure 2, les puces de circuit integre
realisees par ce procede de photorepetition ne comportent qu'un coin,
occupant environ 20 Z de la surface de la puce, dessine avec des
regles de dessin moins fines; les autres coins comprennent dans ce
cas, de meme que le centre de la puce des elements de circuit
correspondant a la finesse maximale que permet la resolution optique
de l'objectif du photorepeteur. Les elements de circuit qui sont loges
dans la coin exterieur comprennent par exemple les circuits
d'alimentation, les amplificateurs, etc.
Une variante de realisation qui s'inspira de ce qui vient d'etre
decrit consisterait a utiliser un masque correspondant au dessin de
deux puces accolees tournees de 1800 l'une par rapport a l'autre,
chaque etape d'illumination du photprepeteur servant a exposer deux
puces a la fois (doublant donc la cadence par rapport a l'exposition
d'une puce unique). Ces deux puces peuvent avoir des surfaces
quelconques telles que les deux puces accolees tiennent dans le champ
(cercle A) illumine par l'objectif meme si les angles du rectangle
plus grand forme par les deux puces se situent dans la zone
peripherique de plus faible resolution.
Par exemple on peut imaginer deux puces rectangulaires dont l'une
serait formee par les carres G et H de la figure 3, et l'autre par les
carres I et J. La puce G-H et la puce I-J peuvent etre illuminees
simultanement a condition que les circuits dessines sur ces puces
soient depourvus, dans les coins qui se retrouvent a la peripherie
(c'est a dire dans deux coins pour chaque puce), d'elements de
circuits dont la finesse de motif serait incompatible avec la
resolution et la distorsion a la peripherie du champ.
Ainsi, les puces comprennent sur la majeure partie de leur surface des
elements de grande finesse de motif correspondant a ce que permet la
resolution dans la partie centrale du champ, mais, dans deux coins
adjacents de chaque puce, correspondant a une surface totale d'environ
20 Z au moins de la surface de la puce, il n'y a que des elements de
circuit ayant des largeurs de trait ou intervalles entre traits d'au
moins 25 a 50 Z plus elevees que la largeur minimale qu'peut trouver
dans le resta du circuit.
Finalement, on peut mentionner que ce qui a ete dit de la
photorepetition sur tranche, dans laquelle c'est une tranche
semiconductrice couverte dlune resine photosensible qui est illuminee
et gravee, est aussi valable pour executer une photorepetition sur
masque, c1 est a dire lorsque c'est un masquemere, representant un
motif de circuit individuel, qui est utilise repetitivement pas a pas,
pour exposer toute la surface d'une pla; que photosensible servant de
masque-fille et comportant# tout un reseau de circuits identiques.
Que le procede soit utilise avec une ou plusieurs photorepetitions sur
masque ou avec une ou plusieurs photorepetitions sur tranche, on
aboutit a des puces circuits integres a fort taux d'integration,
presentant des motifs de dessin superposes sur plusieurs niveaux, dans
lesquels au moins un motif comprend des traits ou intervalles entre
traits ayant une largeur minimale au plus egale a 1 a 3 microns et
dans lesquels la motif dessine dans au moins un coin de la puce,
occupant une surface d'au moins 20 percent environ de la surface de la
puce, ne comprend que des traits ou intervalles entre traits de
largeur superieure d'au moins 25 percent a la largeur minimale
rencontree sur le reste du motif.
On entend ici par niveaux superposes, les motifs graves au cours
d'etapes successives; par exemple le circuit peut comprendre un ou
plusieurs niveaux de silicon polycristallin ou un ou plusieurs niveaux
de metallisation. La dimension de traits ou intervalles entre traits
dont il est question dans cette demande ne concerne que les traits
d'un meme motif (ceux qui correspondent a un masque donne) et non les
traits rapproches de deux motifs differents: par exemple, un niveau de
gravure peut concerner la formation d'ouvertures de contact dans une
couche d'silicon oxide au dessus d'une couche de silicon mono ou
polycristallin; les largeurs de traits et intervalles entre traits
consideres ne sont pas l'intervalle qui peut exister entre une
ouverture et le bord d'une zone de silicon polycristallin mais bien la
largeur de l'ouverture ou la largeur de la zonarde silicon, ou encore
l'intervalle entre deux ouvertures ou entre deux zones de silicon
polycristallin.
Claims
_________________________________________________________________
REVENDICATIONS
1. Procede de photorepetition d'un dessin de circuit integre a tres
haute integration sur une su#rface revetue d'une couche photosensible,
consistant en une illumination de la surface a travers un objectif
devant lequel est place un masque definissant un motif de dessin a
reproduire, cette illumination etant repetee avec un deplacement
relatif pas a pas de l'objectif par rapport a la surface pour exposer
a chaque fois une petite portion rectangulaire de la#surfaca, et le
motif a reproduire surla surface ayant une finesse telle que certains
traits ou intervalles entre traits du dessin ont une largeur au plus
egale a un a trois microns, caracterise par le fait que le motif a
reproduire, inclus dans un rectangle, est tel que dans au moins un
coin. du rectangle, occupant au moins 20 pour cent de la surface du
rectangle, le dessin-ne comporte que des traits ou intervalles entre
traits ayant une largeur superieure d'au moins 25 pour cent a la
largeur minimale rencontree sur le reste du dessin.
2. Procede selon la revendication 1, caracterise par le fait que dans
les quatre coins du rectangle, sur une surface totale d'au moins 20
percent -de la surface du rectangle, le motif est dessine avec une
largeur de traits ou d'intervalles entre traits superieure d'au moins
25 percent a la largeur minimale rencontree sur le reste du dessin.
3. Procede selon la revendication 1, caracterise par le fait que dans
deux coins adjacents du rectangle le motif est dessine avec une plus
gtande largeur minimale de traits ou d'intervalles entre traits que
dans lewreste du rectangle, et par le fait que le masque comprend deux
motifs elementaires identiques accoles par leur plus grand cote, l'un
etant tourne de 180 degres par rapport a l'autre, de maniere que
lesdits coins des deux rectangles constituant les quatre coins du
rectangle plus grand forme par les deux rectangles accoles.
4. Procede salon la revendication 1, caracterise par le fait que dans
un seul coin du rectangle le motif est dessine avec une plus grande
largeur minimale de traits ou d'intervalles entre traits que dans le
reste du rectangle, et par la fait que le masque comprend quatre
motifs elementaires rectangulaires identiques, accoles de maniere a
former un rectangle plus grand, trois motifs elementaires etant
respectivement tournes de 90 degres, 1800 et 2700 par rapport au
quatrieme, et les coins dessinas avec une largeur minimale de traits
superieure constituant les quatre coins du rectangle plus grand.
5. Puce de circuit integre a fort taux d'integration, presentant des
motifs de dessin superposes sur plusieurs niveaux, dans lequel au
moins un motif comprend des traits ou intervalles entre traits ayant
une largeur minimale au plus egale a i a 3 microns, caracterisee par
le fait que dans au moins un coin de la puce, occupant une surface
d'au moins 20 percent environ de la surface de la puce, les traits ou
intervalles entre traits dudit motif ont tous une largeur superieure
d'au moins 25 Z a la largeur minimale rencontree sur le reste du
motif.
? ?
Display vertical position markers.<br/><br/>This option will display
the relative positions of currently selected key terms within the full
document length.<br/><br/>You can then click the markers to jump to
general locations within the document, or to specific discoveries if
you know whereabouts in the document they occur. [41][_]
Open a preview window.<br/><br/>This window will provide a preview of
any discovery (or vertical marker) when you mouse over
it.<br/><br/>The preview window is draggable so you may place it
wherever you like on the page. [42][_]
[static.png]
[close.png]
Discovery Preview
(Mouse over discovery items)
[textmine.svg] textmine Discovery
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Multiple Definitions ()
Next »
Enlarge Image (BUTTON) ChemSpider (BUTTON) PubChem (BUTTON) Close
(BUTTON) X
(BUTTON) Close
(BUTTON) X
TextMine: Publication Composition
FR2518809
(BUTTON) Print/ Download (BUTTON) Close
1. Welcome to TextMine.
The TextMine service has been carefully designed to help you
investigate, understand, assess and make discoveries within patent
publications, quickly, easily and efficiently.
This tour will quickly guide you through the main features.
Please use the "Next" button in each case to move to the next step
of the tour (or you can use [Esc] to quit early if you don't want
to finish the tour).
2. The main menu (on the left) contains features that will help you
delve into the patent and better understand the publication.
The main feature being the list of found items (seperated into
colour coded categories).
3. Click the Minesoft logo at any time to reset TextMine to it's
initial (start) state.
4. You can select which part of the document you'd like to view by
using the pull down menu here.
You can select "Full Text" to view the entire document.
5. For non-latin languages, (in most cases) full text translations
are available, you can toggle them on and off here.
You can also toggle the inline discovery translations between
English and their original language.
6. The pie chart icon will open a basic statistical breakdown of the
publication.
7. The sort icon allows you to sort the listed categories based on
the number of instances found.
Click to toggle between ascending and descending.
8. You can use the refine box to refine the discovered items in the
sections below.
Simply type what you are looking for, any items that do not match
will be temporarily hidden.
9. The publication has been analysed and we have identified items
within it that fit into these categories.
The specific items found are listed within the category headings.
Click the section header to open that section and view all the
identitfied items in that section.
If you click the checkbox all items in that section will be
highlighted in the publication (to the right).
The best thing to do is to experiment by opening the sections and
selecting and unselecting checkboxes.
10. The main output window contains the publication full text (or part
thereof if selected).
11. The Tools section contains tools to help you navigate the
"discovered" (highlighted) items of interest.
The arrows and counter let you move through the highlighted items
in order.
12. Other tools include a "Preview" option [ [preview.png] ] and the
ability to mark the relative locations of highlighted items by
using the "Marker" option [ [marker.png] ].
Try these out to best understand how they work, and to discover if
they are of use to you.
13. Items selected from the menu on the left will be highlighted in
the main publication section (here in the middle of the screen).
Click them for further information and insights (including
chemical structure diagrams where available).
14. Please experiment with TextMine - you cannot make any permanent
changes or break anything and once your session is closed (you've
log out) all your activity is destroyed.
Please contact Minesoft Customer Support if you have any questions
or queries at: [email protected]
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[BUTTON Input] (not implemented)_____ [BUTTON Input] (not
implemented)_____
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